Composants opto

1
Composants optoélectroniques

• P. Lévêque
• CNRS-InESS, Strasbourg

2
Plan du cours

• 1 Introduction
• Interaction rayonnement-semiconducteur
• Photodétecteurs
• Emetteurs de rayonnement à semiconducteur

3
Plan du cours

• 1 Introduction
• Interaction rayonnement-semiconducteur
• Photodétecteurs
• Emetteurs de rayonnement à semiconducteur

4
IntroductionProblématique
Composants optoélectroniques
Lumière (rayonnement)
Matériau semiconducteur
Interaction rayonnement / matériau semiconducteur
5
IntroductionProblématique
Composants optoélectroniques

• Dispositifs détecteurs de lumière
• cellule photovoltaïque
• Dispositifs émetteurs de lumière
• diode électroluminescente

6
Plan du cours

• 1 Introduction
• Interaction rayonnement-semiconducteur
• Photodétecteurs
• Emetteurs de rayonnement à semiconducteur

7
Plan du cours

• 1 Introduction
• Interaction rayonnement-semiconducteur
• Photodétecteurs
• Emetteurs de rayonnement à semiconducteur

8
Interaction rayonnement-semiconducteur
B C
Photon
B V
Semiconducteur
9
Interaction rayonnement-semiconducteur

• Photons et électrons
• Interaction électron-photon transitions
  radiatives
• Absorption Emission spontanée Emission
  stimulée
• Recombinaison de porteurs en excès durée de vie
• Création de porteurs en excès
• Semiconducteurs pour loptoélectronique

10
Interaction rayonnement-semiconducteur

• Photons et électrons
• Interaction électron-photon transitions
  radiatives
• Absorption Emission spontanée Emission
  stimulée
• Recombinaison de porteurs en excès durée de vie
• Création de porteurs en excès
• Semiconducteurs pour loptoélectronique

11
Interaction rayonnement-semicond.Photons et
électrons
12
Interaction rayonnement-semicond.Photons et
électrons
13
Interaction rayonnement-semicond.Photons et
électrons
v vitesse de phase n indice de réfraction
14
Interaction rayonnement-semicond.Photons et
électrons
Interaction avec échange dénergie
Lumière - corpuscule (photon) - onde
15
Interaction rayonnement-semicond.Photons et
électrons
E
vide pente hc
SC pente
k
16
Interaction rayonnement-semicond.Photons et
électrons
17
Interaction rayonnement-semicond.Photons et
électrons
Electron dans le vide
Dualité onde-corpuscule
18
Interaction rayonnement-semicond.Photons et
électrons
Electron dans le vide
E
courbure
k
19
Interaction rayonnement-semicond.Photons et
électrons
Electron dans semiconduteur
BC
BC
EC
EC
Eg
Eg
EV
EV
BV
BV
direct
indirect
20
Interaction rayonnement-semicond.Photons et
électrons
Electron dans semiconduteur
courbure
BC
EC
Eg
EV
BV
direct
21
Interaction rayonnement-semiconducteur

• Photons et électrons
• Interaction électron-photon transitions
  radiatives
• Absorption Emission spontanée Emission
  stimulée
• Recombinaison de porteurs en excès durée de vie
• Création de porteurs en excès
• Semiconducteurs pour loptoélectronique

22
Interaction rayonnement-semicond.Interaction
photon-électron transitions radiatives
hnif
Ef
Ef
absorption
Ei
Ei
hnif
Ei
Ei
émission spontanée
Ef
Ef
hnif
hnif
Ei
Ei
émission stimulée
Ef
Ef
hnif
23
Interaction rayonnement-semicond.Interaction
photon-électron transitions radiatives
Choc élastique photon-électron
Conservation énergie et quantité de mouvement
Ep hnif (Ef - Ei)
24
Interaction rayonnement-semicond.Interaction
photon-électron transitions radiatives
Ordres de grandeur photon
Semiconducteur Eg 1eV
BC
Ep 1eV
EC
Eg
l 1µm
EV
BV
kp 10-3 Å-1
25
Interaction rayonnement-semicond.Interaction
photon-électron transitions radiatives
Ordres de grandeur électrons
Semiconducteur a qqs Å
BC
ki(f) ? 0 p/a
EC
Eg
EV
ki(f) ? 0 1 Å-1
BV
26
Interaction rayonnement-semicond.Interaction
photon-électron transitions radiatives
Choc élastique photon-électron
Transitions radiatives verticales Dans
lespace des k
27
Interaction rayonnement-semicond.Interaction
photon-électron transitions radiatives
Choc élastique photon-électron
indirect
direct
BC
BC
absorption
émission
BV
BV
Transitions radiatives
Transitions non radiatives
28
Interaction rayonnement-semicond.Interaction
photon-électron transitions radiatives
Absorption verticale dans SC indirect
BC
thermalisation
absorption
BV
29
Interaction rayonnement-semicond.Interaction
photon-électron transitions radiatives
Transition radiative extrinsèque dans SC indirect
BC
absorption
émission
BV
Niveau discret (impureté). Ex N dans GaP
30
Interaction rayonnement-semiconducteur

• Photons et électrons
• Interaction électron-photon transitions
  radiatives
• Absorption Emission spontanée Emission
  stimulée
• Recombinaison de porteurs en excès durée de vie
• Création de porteurs en excès
• Semiconducteurs pour loptoélectronique

31
Interaction rayonnement-semicond.Absorption
émission spontanée émission stimulée
Rappels
Semiconducteur intrinsèque à léquilibre
Agitation thermique
32
Interaction rayonnement-semicond.Absorption
émission spontanée émission stimulée
Rappels
Semiconducteur intrinsèque à léquilibre
Densité détats N(E) (densité détats dénergie
autorisés par unité de volume)
33
Interaction rayonnement-semicond.Absorption
émission spontanée émission stimulée
Rappels
Semiconducteur intrinsèque à léquilibre
Probabilité doccupation F(E) (statistique
Fermi-Dirac)
34
Interaction rayonnement-semicond.Absorption
émission spontanée émission stimulée
Rappels
Semiconducteur intrinsèque à léquilibre
Concentration de porteurs n
E
n ni
EC
Eg
EF
EV
p pi
n(E) p(E)
35
Interaction rayonnement-semicond.Absorption
émission spontanée émission stimulée
Rappels
Semiconducteur extrinsèque à léquilibre
électron de conduction
Semiconducteur de type n
36
Interaction rayonnement-semicond.Absorption
émission spontanée émission stimulée
Rappels
Semiconducteur extrinsèque à léquilibre
Impuretés
37
Interaction rayonnement-semicond.Absorption
émission spontanée émission stimulée
Rappels
Semiconducteur extrinsèque à léquilibre
E
E
E
no
EC
EC
EC
ED
EF
EF
Eg
Eg
Eg
EV
EV
EV
po
N(E)
F(E)
n(E) p(E)
0
0.5
1
nopo ni2
38
Interaction rayonnement-semicond.Absorption
émission spontanée émission stimulée
Rappels
Semiconducteur à léquilibre
NC(V) densité détats effective dans BC (BV)
ni dépend du semiconducteur (m et Eg)
39
Interaction rayonnement-semicond.Absorption
émission spontanée émission stimulée
Rappels
Semiconducteur à léquilibre
no et po ne dépendent que de EF
40
Interaction rayonnement-semicond.Absorption
émission spontanée émission stimulée
Semiconducteur hors équilibre
Excitation externe
Semiconducteur
n ? no p ? po
EF plus défini
41
Interaction rayonnement-semicond.Absorption
émission spontanée émission stimulée
E
E
BC
BC
no
Excitation externe
BV
BV
po
SC à léquilibre
SC hors équilibre avant thermalisation
42
Interaction rayonnement-semicond.Absorption
émission spontanée émission stimulée
E
E
n
BC
Thermalisation 10-13 10-12 s
BC
BV
BV
p
SC hors équilibre avant thermalisation
SC hors équilibre après thermalisation
43
Interaction rayonnement-semicond.Absorption
émission spontanée émission stimulée
n
Recombinaison 10-9 10-3 s
no
émission
po
p
SC hors équilibre après thermalisation
SC à léquilibre
Pseudo-équilibre
EFn et EFp indépendants
44
Interaction rayonnement-semicond.Absorption
émission spontanée émission stimulée
Pseudo-équilibre
EFn et EFp indépendants
n
émission
p
SC hors équilibre après thermalisation
(équilibre EFp EFn EF)
45
Interaction rayonnement-semicond.Absorption
émission spontanée émission stimulée
Taux net démission r(E)
(nombre de photons / s / V)
N(E) densité de photons dénergie E
r(E) rsp(E) N(E) (rstim(E) rabs(E))
émission stimulée
émission spontanée
absorption
46
Interaction rayonnement-semicond.Absorption
émission spontanée émission stimulée
Taux net démission r(E)
(nombre de photons / s / V)
r(E) rsp(E) N(E) (rstim(E) rabs(E))
Taux net démission stimulée (rst(E))
rabs(E)
rstim(E)
47
Interaction rayonnement-semicond.Absorption
émission spontanée émission stimulée
Taux net démission r(E)
(nombre de photons / s / V)
r(E) rsp(E) N(E) (rstim(E) rabs(E))
rabs(E)
hnif
E hnif
Ei
Ei
rstim(E)
Ef
Ef
hnif
rst(E) (rstim(E) rabs(E)) lt 0
pas amplificateur
rst(E) gt 0
amplificateur
48
Interaction rayonnement-semicond.Absorption
émission spontanée émission stimulée
Taux démission spontanée rsp(E)
BC
B(E, E) probabilité de transition
radiative Nc(E) densité détats dans BC à
énergie E Nv(E) densité détats dans BV à
énergie E Fc(E) probabilité que létat E
soit occupé (BC) Fv(E) probabilité que létat
E soit occupé (BV)
E
E hn
E
BV
rsp(E, E) B(E, E) Nc(E) Fc(E) Nv(E)
(1 Fv(E))
49
Interaction rayonnement-semicond.Absorption
émission spontanée émission stimulée
Taux démission spontanée rsp(E)
BC
E
Conservation de lénergie E E E
E hn
E
BV
rsp(E, E) B(E, E) Nc(E) Fc(E) Nv(E - E) (1
Fv(E - E))
50
Interaction rayonnement-semicond.Absorption
émission spontanée émission stimulée
Taux démission spontanée rsp(E)
BC
E
E hn
E
BV
51
Interaction rayonnement-semicond.Absorption
émission spontanée émission stimulée
Taux net démission stimulée rst(E)
BC
E
E hn
rst(E) rstim(E) rabs(E)
E
BV
rabs(E, E) B(E, E) Nc(E) (1 - Fc(E))
Nv(E) Fv(E)
rabs(E, E) B(E, E) Nc(E) (1 - Fc(E)) Nv(E
- E) Fv(E - E)
52
Interaction rayonnement-semicond.Absorption
émission spontanée émission stimulée
Taux net démission stimulée rst(E)
BC
E
E hn
rst(E) rstim(E) rabs(E)
E hn
E
BV
rstim(E, E) B(E, E) Nc(E) Fc(E) Nv(E)
(1 - Fv(E))
rstim(E, E) B(E, E) Nc(E) Fc(E) Nv(E - E)
(1 - Fv(E - E))
53
Interaction rayonnement-semicond.Absorption
émission spontanée émission stimulée
Taux net démission stimulée rst(E)
rst(E) rstim(E) rabs(E)
rstim(E, E) B(E, E) Nc(E) Fc(E) Nv(E - E)
(1 - Fv(E - E))
rabs(E, E) B(E, E) Nc(E) (1 - Fc(E)) Nv(E
- E) Fv(E - E)
rst(E, E) B(E, E) Nc(E) Nv(E - E) (Fc(E) -
Fv(E - E))
54
Interaction rayonnement-semicond.Absorption
émission spontanée émission stimulée
Taux net démission r(E) rsp(E) N(E) rst(E)
avec
55
Interaction rayonnement-semicond.Absorption
émission spontanée émission stimulée
Taux net démission r(E) rsp(E) N(E) rst(E)
En pratique, matériaux très dopés
B (E, E) indépendant de E, E
56
Interaction rayonnement-semicond.Absorption
émission spontanée émission stimulée
Ordre de grandeur de B (300 K) (probabilité de
transition radiative)
gtgt
57
Interaction rayonnement-semicond.Absorption
émission spontanée émission stimulée
Emission spontanée Rsp
Rsp B n p
58
Interaction rayonnement-semicond.Absorption
émission spontanée émission stimulée
Emission stimulée
où DF EFn - EFp
59
Interaction rayonnement-semicond.Absorption
émission spontanée émission stimulée
Emission stimulée
Amplification de rayonnement si rst(E) gt 0
DF gt E
or E Eg (transition intrinsèque)
amplification si DF EFn - EFp gt Eg
60
Interaction rayonnement-semicond.Absorption
émission spontanée émission stimulée
Emission stimulée
Amplification si DF EFn - EFp gt Eg
BC
EFn
DF
Eg
Inversion de population
EFp
BV
61
Interaction rayonnement-semicond.Absorption
émission spontanée émission stimulée
Taux net démission r(E) rsp(E) N(E) rst(E)
Densité de photons dans semiconducteur N(E)
No(E) DN(E)
avec
(équilibre thermodynamique)
62
Interaction rayonnement-semicond.Absorption
émission spontanée émission stimulée
Taux net démission
Equilibre thermodynamique DN(E) 0 DF 0
r(E) 0
émission stimulée émission spontanée
absorption
63
Interaction rayonnement-semicond.Absorption
émission spontanée émission stimulée
Taux net démission
Semiconducteur faiblement excité DN(E) ? 0 DF
0
semiconducteur absorbant
64
Interaction rayonnement-semicond.Absorption
émission spontanée émission stimulée
Taux net démission
(E gt Eg gtgt kT)
Semiconducteur fortement excité DN(E) ? 0 DF
gt 0
semiconducteur émet un rayonnement dénergie E
65
Interaction rayonnement-semiconducteur

• Photons et électrons
• Interaction électron-photon transitions
  radiatives
• Absorption Emission spontanée Emission
  stimulée
• Recombinaison de porteurs en excès durée de vie
• Création de porteurs en excès
• Semiconducteurs pour loptoélectronique

66
Interaction rayonnement-semicond.Recombinaison
de porteurs en excès durée de vie
Recombinaison radiative de porteurs
émission de photons
Taux global démission de photons R
R B n p Rst
67
Interaction rayonnement-semicond.Recombinaison
de porteurs en excès durée de vie
Equilibre thermodynamique n no p po
Ro B no po Rsto 0
Excès de porteurs n no Dn p po Dp
(faible inversion)
R Ro DR B (no Dn)(po Dp) Rsto DRst
DR B no Dp B po Dn
(taux de recombinaison radiative des porteurs)
68
Interaction rayonnement-semicond.Recombinaison
de porteurs en excès durée de vie
Excès de porteurs
DR B no Dp B po Dn
Durée de vie radiative
69
Interaction rayonnement-semicond.Recombinaison
de porteurs en excès durée de vie
Exemple
Semiconducteur de type p Porteurs
minoritaires électrons
Taux de recombinaison des porteurs minoritaires

70
Interaction rayonnement-semicond.Recombinaison
de porteurs en excès durée de vie
Autres types de recombinaisons
Recombinaisons non radiatives de porteurs en
volume (recombinaison sur centre, émission de
phonons) Durée de vie non radiative tnr
DRtotal DRrad. DRn-rad.
71
Interaction rayonnement-semicond.Recombinaison
de porteurs en excès durée de vie
Autres types de recombinaisons

• tnr gtgt tr t tr (matériau radiatif)
• tnr ltlt tr t tnr (matériau peu radiatif)

1 si tnr gtgt tr
Rendement radiatif
72
Interaction rayonnement-semicond.Recombinaison
de porteurs en excès durée de vie
Autres types de recombinaisons
Recombinaisons non radiatives de porteurs en
surface (recombinaison sur pièges de
surface) tsurf. lt tvol.
Dn
Etats de surface (tsurf. lt tvol) Gradient de
concentration diffusion
d
surface
73
Interaction rayonnement-semicond.Recombinaison
de porteurs en excès durée de vie
Autres types de recombinaisons
Courant de diffusion J
Vitesse de recombinaison de surface
74
Interaction rayonnement-semiconducteur

• Photons et électrons
• Interaction électron-photon transitions
  radiatives
• Absorption Emission spontanée Emission
  stimulée
• Recombinaison de porteurs en excès durée de vie
• Création de porteurs en excès
• Semiconducteurs pour loptoélectronique

75
Interaction rayonnement-semicond.Création de
porteurs en excès
Photoexcitation
Fo(E)
Ft(E, 0)
Ft(E, x)
Fr(E)
surface
Profondeur x
x
Fo(E) flux de photons incidents (nombre de
photons dénergie E / S / t)
76
Interaction rayonnement-semicond.Création de
porteurs en excès
Coefficient dabsorption
Photoexcitation
Fo(E)
Ft(E, 0)
Ft(E, x)
Fr(E)
surface
Profondeur x
x
Coefficient de réflexion
77
Interaction rayonnement-semicond.Création de
porteurs en excès
Photoexcitation
Coefficient de réflexion R(E)
Fo(E)
Ft(E, 0)
Fr(E)
surface
Profondeur x
Fo(E) Fr(E) Ft(E, 0) et Fr(E) R(E) Fo(E)
Ft(E, 0) (1 R(E)) Fo(E)
78
Interaction rayonnement-semicond.Création de
porteurs en excès
Photoexcitation
Coefficient de réflexion R(E)
Ft(E, 0) (1 R(E)) Fo(E)
Pour E Eg, R(E) constant mais R f(q)
Fo(E)
Ft(E, 0)
q
Fr(E)
surface
Profondeur x
79
Interaction rayonnement-semicond.Création de
porteurs en excès
Photoexcitation
Coefficient de réflexion R(E)
R minimal en incidence normale (q 0)
3 lt n lt 4
0,25 lt Rmin. lt 0,35
environ 30 rayonnement incident est réfléchi
80
Interaction rayonnement-semicond.Création de
porteurs en excès
Photoexcitation
Coefficient dabsorption a(E)
Si a(E ,x) a(E)
81
Interaction rayonnement-semicond.Création de
porteurs en excès
Photoexcitation
Fo(E)
Ft(E, 0)
Ft(E, x)
Fr(E)
surface
Profondeur x
x
82
Interaction rayonnement-semicond.Création de
porteurs en excès
Photoexcitation
a(E) 0 (SC intrinsèque et E lt Eg)
Matériau transparent
a(E) ? 0
Absorption exponentielle de photons
1 photon absorbé création 1 paire électron-trou
83
Interaction rayonnement-semicond.Création de
porteurs en excès
Photoexcitation
1 photon absorbé création 1 paire électron-trou
Taux de génération de paires éléctron-trou g (E
,x)
84
Interaction rayonnement-semicond.Création de
porteurs en excès
Photoexcitation
Taux de génération de paires éléctron-trou g (E
,x)
Rayonnement polychromatique
85
Interaction rayonnement-semicond.Création de
porteurs en excès
Eg
Photoexcitation
GaAs (300 K)
Casey et. al. J. Appl. Phys 46, 250 (1975)
86
Interaction rayonnement-semicond.Création de
porteurs en excès
Eg
Photoexcitation
Approximation a 0 si E lt Eg a Cst si E gt
Eg
a 104 cm-1 si E gt Eg
Recombinaison de surface prépondérante
Pour x 1/a 1 µm, g(x) g(0)/e
87
Interaction rayonnement-semicond.Création de
porteurs en excès
Photoexcitation
Taux de génération de paires e--h g (x)
pour E Eg
soit, avec
(densité totale de rayonnement dénergie Eg)
88
Interaction rayonnement-semicond.Création de
porteurs en excès
Injection électrique
Rappels
p
n
p
n
W
EC
EC
EC
diffusion
EF
EF
EF
EV
EV
EV
diffusion
Jonction p-n à léquilibre
89
Interaction rayonnement-semicond.Création de
porteurs en excès
Injection électrique
Rappels
p
n
VF
W
Injection de porteurs minoritaires
EC
diffusion
EFn
EFp
EV
diffusion
Recombinaisons radiatives possibles
Jonction p-n polarisée en direct
90
Interaction rayonnement-semicond.Création de
porteurs en excès
Ln
Lp
Injection électrique
p
n
n, p
Rappels
VF
W
ppo
nno
pn
Zones de recombinaison radiative
np
pno
Lp
npo
Ln
x
xp
xn
xc
xc
91
Interaction rayonnement-semicond.Création de
porteurs en excès
Ln
Lp
p
n
Injection électrique
n, p
VF
Rappels
W
ppo
nno
Ln(p) longueur de diffusion des e- (h) dans zone
de type p (n)
pn
np
pno
Lp
npo
Ln
Coefficient de diffusion des e- (h) dans zone de
type p (n)
x
xp
xn
xc
xc
Durée de vie des e- (h) dans zone de type p (n)
92
Interaction rayonnement-semicond.Création de
porteurs en excès
Ln
Lp
p
n
n, p
VF
W
ppo
nno
Injection électrique
pn
np
pno
Lp
npo
Ln
x
xp
xn
xc
xc
93
Interaction rayonnement-semicond.Création de
porteurs en excès
Autres processus de création

• Avalanche dans jonction p-n polarisée en inverse
• Effet tunnel dans diode tunnel ou jonction
  Schottky
• Cathodoexcitation

94
Interaction rayonnement-semiconducteur

• Photons et électrons
• Interaction électron-photon transitions
  radiatives
• Absorption Emission spontanée Emission
  stimulée
• Recombinaison de porteurs en excès durée de vie
• Création de porteurs en excès
• Semiconducteurs pour loptoélectronique

95
Interaction rayonnement-semicond.Semiconducteurs
pour loptoélectronique
Applications déterminent le choix du matériau
Exemples
Dispositifs daffichage sensibilité de lœil
96
Interaction rayonnement-semicond.Semiconducteurs
pour loptoélectronique
Applications déterminent le choix du matériau
Exemples
Convertisseur dénergie spectre solaire
97
Interaction rayonnement-semicond.Semiconducteurs
pour loptoélectronique
Applications déterminent le choix du matériau
Exemples
télécommunications transparence fibres optiques
98
Interaction rayonnement-semicond.Semiconducteurs
pour loptoélectronique
Applications déterminent le choix du matériau
Exemples
Stockage de données lasers faible l (densité
stockage l-2)
99
Interaction rayonnement-semicond.Semiconducteurs
pour loptoélectronique
Spectre de sensibilité de lœil
Décalage vers le rouge en éclairement atténué
100
Interaction rayonnement-semicond.Semiconducteurs
pour loptoélectronique
Spectre solaire
Emission corps noir à 6000 C
Au dessus de latmosphère (AM0), intensité 1,35
kW/m2 centré à l 0,48 µm Au sol en incidence
normale (AM1), intensité 0,9 kW/m2
101
Interaction rayonnement-semicond.Semiconducteurs
pour loptoélectronique
Spectre solaire
(mW/cm2/µm)
200
100
AM0
AM1
l (µm)
0,2
0,6
1
1,4
1,8
Air Mass 1/cos a
AM1 incidence normale AM4 horizon (a 75)
102
Interaction rayonnement-semicond.Semiconducteurs
pour loptoélectronique
Spectre de transparence des fibres optiques
Fibres optiques guides de lumière
Transmission affectée par - atténuation -
dispersion
103
Interaction rayonnement-semicond.Semiconducteurs
pour loptoélectronique
Spectre de transparence des fibres optiques
Atténuation diffusion et absorption
Diffusion variations dindice optique (défauts
de structure, composition) Absorption impuretés
absorbantes (visible) vibrations réseau (IR)
P1
P2
L
104
Interaction rayonnement-semicond.Semiconducteurs
pour loptoélectronique
Atténuation
vibrations réseau
diffusion Rayleigh aeff. l-4
Atténuation 0.2 dB/Km à 1.55 µm
Silice
105
Interaction rayonnement-semicond.Semiconducteurs
pour loptoélectronique
Dispersion conséquences
Dispersion
Atténuation
106
Interaction rayonnement-semicond.Semiconducteurs
pour loptoélectronique
Dispersion causes
Réflexion totale
Chemins optiques différents dispersion temporelle
107
Interaction rayonnement-semicond.Semiconducteurs
pour loptoélectronique
Dispersion causes
125 µm
50 µm
50 µm
Mêmes chemins optiques
125 µm
10 µm
Source polychromatique, n f(l) dispersion
intrinsèque
108
Interaction rayonnement-semicond.Semiconducteurs
pour loptoélectronique
Dispersion intrinsèque (n f(l))
A
Dl
l
L
Impulsion à transmettre
Paquet dondes
109
Interaction rayonnement-semicond.Semiconducteurs
pour loptoélectronique
Dispersion intrinsèque (n f(l))
5
3
Silice
1
l (µm)
0,8
1
1,2
1,4
1,6
Ex
L 1 Km LED GaAs (l 8500 Å) Dl 500 Å
Dt 4x10-9 s
110
Interaction rayonnement-semicond.Semiconducteurs
pour loptoélectronique
Dispersion intrinsèque (n f(l))
Dispersion intrinsèque sannule pour certains l
(1.3 µm lt l lt 1.8 µm)
111
Interaction rayonnement-semicond.Semiconducteurs
pour loptoélectronique
Dispersion intrinsèque sannule pour certains l
(1.3 µm lt l lt 1.8 µm)
Transmission favorable (silice) à 1.3 et 1.55 µm
112
Interaction rayonnement-semicond.Semiconducteurs
pour loptoélectronique
Exemples
113
Interaction rayonnement-semicond.Semiconducteurs
pour loptoélectronique
Stockage de données sur disque optique
Densité de stockage l-2 Diodes laser IR (l
780 nm) 100 Mbit/cm2 Diodes bleues (GaN l
450 nm) 2 Gbit/cm2
Avantage / support magnétique distance support
/ tête 1 mm
114
Interaction rayonnement-semicond.Semiconducteurs
pour loptoélectronique
Autres données numériques R
115
Interaction rayonnement-semicond.Semiconducteurs
pour loptoélectronique
Autres données numériques a (103 cm-1)
116
Interaction rayonnement-semicond.Semiconducteurs
pour loptoélectronique
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