Optique forever 193157130

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Next Generation lithography

• Optique forever ???? (193--gt157--gt130--gt
• EUV à 130 A
• X-Ray à 10 A
• Direct writing (electrons ou ions)
• Projection (electrons ou ions)
• Sondes balayées

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Améliorations prévisibles

• Photolithographie 157 nm
• Pas de saut technologique
• Optique CaF2 difficiles à mettre au point
• Puissance laser

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EUV

• Plus possible de faire de loptique refractive
• Tout les matériaux absorbent à cette longueur
  donde
• Optique réflectives
• Multicouches

4
EUV
5
EUV
6
EUV
7
EUV
Intensité en champ proche
8
EUV

• Puissance de source
• Plus de Watts pour augmenter le rendement
• Faible réflectivité des mirroirs
• Epaisseur du masque
• Piles dabsorbants 100 à 200 nm
• Erreur de placement 5-8 nm
• ltdifficile davoir NA gt 0.35

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EUV
Prototypes
10
EUV
11
? encore plus court ??

• lt 10 nm ?
• Rayon X

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Lithographie X
Masque
x-ray absorbeur épais
Distance g
Expose
Largeur w
l 1-10nm Wmin ?(lg)1/2
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Lithographie X

• Potentiel
• Longueur donde 0.1-1 nm Pas de diffraction
• Exposition parallele Bon rendement
• X-ray peu sensible aux poussières
• Problèmes
• Technologie des masques très difficile
• Sources chères
• Optique complexe
• Rapport 11

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Lithographie X
15
Lithographie X
16
Lithographie X
Grandissement latéral d r g/L Pénombre ?
? g/L
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Lithographie X
Limite de résolution
Resolution (nm)
Limite de diffraction W ? (g ?)1/2 Photoélectro
ns Compromis en ?
Somme
40
? optimum
g1µm
30
g2µm
20
Photoelectrons
10
? (nm)
0.8
1
1.2
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Lithographie X
Exemples
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Lithographie X
Exemples
20
Lithographie X
Technologie mure mais trop complexe et
coûteuse, Cependant elle est utilisée dans la
fabrication de MEMS. Le procédé LIGA
(lithographie galvanoplastie) Moule en résine
avec des rapports daspect très grands (1100)
grâce aux X-Ray
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Lithographie X
LIGA
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Lithographie X
LIGA