CAP

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CAPÍTULO 5 MODELAGEM DE COMPONENTES ATIVOS EM RF
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5.1 TIPOS DE DIODOS
5.1.1 Diodo de Junção
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5.1.2 Diodo Schottky
4
5.1.3 Diodo PIN
5
5.1.4 Diodo IMPATT
6
5.1.5 Diodo Túnel
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5.2 MODELOS DE DIODOS
5.2.1 Modelo não Linear do Diodo
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CJ Capacitância de junção ou depleção Cd
Capacitância de difusão
?T tempo de transição
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• Dependência com a temperatura
• Corrente de saturação reversa
• Energia do bandgap

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(No Transcript)
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5.2.2 Modelo Linear do Diodo (pequenos sinais)
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5.3 TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO

• Construção interdigital
• Diminuir a resistência base-emissor
• Reduz o ruído térmico
• Alta potência

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TRANSISTOR BIPOLAR DE HETEROJUNÇÃO

• Alto ganho de corrente sem necessidade de dopar
  excessivamente o emissor
• Aumento da injeção de portadores devido às
  camadas adicionais de semicondutor
• Altas freqüências de operação (100 GHz)

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5.4 MODELAGEM DO TRANSISTOR BIPOLAR
5.4.1 Modelos de Grandes Sinais
Convenção de tensões e correntes
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Modelo de Ebers-Moll
Correntes de diodo
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Modo ativo direto
Modo ativo reverso

• Diodo base-emissor conduzindo
• Diodo base-coletor reverso
• IR 0

• Diodo base-emissor reverso
• Diodo base-coletor conduzindo
• IF 0

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Modelo dinâmico incluindo capacitâncias de
difusão e de junção
Modelo incluindo efeitos parasitas do
encapsulamento
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Modelo de Transporte
19
(No Transcript)
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Na região ativa direta
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5.4.2 Modelos de Pequenos Sinais
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Representação pelos parâmetros h
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Modelo de alta Freqüência
Efeito Miller
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Demonstração do Teorema de Miller
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Freqüência de Transição
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(No Transcript)
27
Exemplo de Projeto
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Circuito de Polarização
29
Modelo completo do transistor
30
(No Transcript)
31
(No Transcript)
32
5.5 TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO
5.5.1 Tipos de FETs
MOSFET
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JFET
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MESFET
35
HEMT
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5.6 MODELAGEM DO MESFET
Funcionamento
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5.6.1 Modelo de Grandes Sinais
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Modelo Dinâmico
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(No Transcript)
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5.6.2 Modelo de Pequenos Sinais
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Modelo de alta freqüência