N

1
(No Transcript)
2
(No Transcript)
3
NÍVEL DE INTEGRAÇÃO
NÍVEL DE INTEGRAÇÃO
DISPOSITIVOS/CHIP SSI
2 a 50 MSI
150 a 5.000 LSI
5.000 a 100.000 VLSI
100.000 a 10.000.000 ULSI
10.000.000 a 1.000.000.000 SLSI
acima de 1.000.000.000
4
ALGUNS PROBLEMAS COM CONTAMINAÇÃO
DEGRADAÇÃO DO DESEMPENHO
- QUALIDADE DO ÓXIDO DE PORTA - TEMPO DE VIDA DOS
PORTADORES DE CARGA
5
DEGRADAÇÃO DA CONFIABILIDADE
- RUPTURA DO ÓXIDO DE CAMPO - CONTATO RUIM
6
DEGRADAÇÃO DO RENDIMENTO
- UM ÚNICO DEFEITO PODE ARRUINAR TODO UM
CIRCUITO
7
- PARTÍCULAS
8
C) JATO DE NITROGÊNIO
? MAIS ADEQUADO
? MAIS DIFÍCIL
? PODE CONTAMINAR COM METAIS DA PINÇA
MELHOR LIMPEZA?
DEPENDE DA SUPERFÍCIE DA AMOSTRA
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(No Transcript)
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(No Transcript)
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(No Transcript)
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(No Transcript)
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(No Transcript)
14
FonteFiberSystems International Vol.3 N.1 pg.29
February 2002
15
Base Mundial de Computadores
Micros multi-núcleos de 64 a 256 bits
16
Capacidade de Integração em Microeletrônica e
Relógios
Número de Componentes
1 Terabit RAM
?P 625MHz 100M com
64G RAM
16G RAM
?P 500MHz 50M.
4G RAM
?Proc. with 25M comp. 400 MHZ clock
1G RAM
2000 MHz clock
64M RAM
16M RAM
50 MHz clock
1M RAM
64K RAM
?Proc. 32 bits 10MHz
16K RAM
?Proc. 1MHz clock
1Kbit
1sr calculator , 1st ?Proc.
MSI 100K Hz clock
Ano
17
Redução de dimensões e tamanhos das pastilhas de
silício
Figura 3. Projeção a longo prazo da tendência de
redução das dimensões dos dispositivos
eletrônicos, contidos numa pastilha de silício
associada com a tendência de aumento de área
física dessas pastilhas para os próximos 70 anos