Semiconductori

1
Semiconductori

• Mecanica cuantica si functiile orbitale
• Starea solida cristalina
• Formarea benzilor în solidele cristaline
• Elemente semiconductoare
• Alte combinatii semiconductoare
• Aliaje semiconductoare
• Sticle semiconductoare
• Semiconductori oxidici
• Semiconductori lichizi organici
• Semiconductori necristalini

2
Mecanica cuantica si functiile orbitale

• Primele studii asupra fenomenelor care fac
  posibila conductibilitatea în stare solida au
  fost facute de fizicianul olandez Hendric Antoon
  Lorentz. Acesta considera existenta unui câmp al
  ionilor care se manifesta în structura
  cristalului. Ulterior, pe baza acestei teorii,
  fizicianul austriac Wolfgang Pauli elaboreaza o
  teorie mecanic cuantica care justifica conductia
  pe baza prezentei unor benzi de energie. În 1926,
  fizicianul austriac Erwin Schrödinger elaboreaza
  mult mai cunoscuta teorie a functiilor de unda
  care se manifesta în orice sistem si care pune
  bazele matematice ale studiului cuantic al
  fenomenelor care se manifesta la nivel atomic.
• Cazul cel mai simplu al ecuatiei Schrödinger este
  pentru o particula de masa m si energie E ce se
  misca unidimensional în directia axei x într-un
  câmp al carui potential este V(x), unde h este
  constanta lui Planck (h 6.6260810-34 Js) iar
  ? este functia de unda asociata miscarii
  particulei

3

• Legatura între functia de unda si fenomenele
  observabile a fost facuta de Max Born prin
  analogie cu teoria ondulatorie a luminii, în care
  patratul amplitudinii unei unde electromagnetice
  este interpretat ca intensitatea acesteia, adica
  în termeni cuantici este o masura a
  probabilitatii ca un foton sa se afle în acea
  regiune. Daca ? este functia de unda (care poate
  fi o functie complexa) atunci unde
  conjugata complexa a functiei de unda, da
  densitatea de probabilitate a particulei.
  Probabilitatea se obtine prin înmultirea cu
  elementul de volum corespunzator.
• Daca pentru electronul atomului de hidrogen
  scrierea si rezolvarea pe cale analitica a
  ecuatiei lui Schrödinger se poate face fara
  probleme, situatia se complica pentru atomii cu
  mai multi electroni si rezolvarea se face doar pe
  cale numerica.

4

• Pentru atomii implicati în legaturi chimice locul
  geometric pe care se misca electronii se obtine
  prin suprapunerea functiilor de unda. Cel mai
  simplu exemplu în acest sens este molecula de
  hidrogen, pentru care functiile de unda ale celor
  doi electroni se scriu în forma
• ? ?H1sA(1)?H1sB(2) ?H1sA(2)?H1sB(1)
• unde indicele H1 indica ca functia de unda este
  corespunzatoare atomului de hidrogen cu un
  electron, indicele s de la forma orbitei acestui
  electron (sferica), A este primul atom al
  moleculei si B este cel de-al doilea, parametrul
  (1) exprima scrierea functiei de unda pentru
  electronul 1 al moleculei iar parametrul (2)
  scrierea functiei de unda pentru electronul 2.
  Semnul indica existenta a doua stari
  energetice, cea cu semnul corespunzând functiei
  de unda de legatura iar semnul corespunzând
  functiei de unda de antilegatura. Se stabilesc
  astfel doua nivele energetice corespunzatoare
  celor doua functii de unda. Pentru moleculele cu
  mai multi atomi exprimarea functiilor de unda
  este si mai dificila când rezulta un numar de
  nivele energetice în molecula egale cu suma
  numerelor de nivele energetice ale atomilor
  constituenti.

5
Starea solida cristalina

• În cristalele monoatomice se stabilesc legaturi
  prin suprapunerea acestor functii de unda atomice
  pentru toti atomii ce compun cristalul. De
  exemplu pentru cristalul de germaniu, o proiectie
  plana a structurii acestuia este reprezentata
  alaturat.
• Geometria spatiala a cristalului de germaniu este
  similara cu cea a diamantului, si celula
  elementara este cubica. În aceasta structura
  fiecare atom de germaniu stabileste câte 4
  legaturi cu atomi de germaniu vecini în
  structura, asa cum se poate observa din figura.
  Rezultatul suprapunerii functiilor de unda ale
  tuturor atomilor din cristal este aparitia unor
  benzi energetice care înlocuiesc nivelele
  energetice din moleculele cu mai multi atomi.

6

• Rezolvarea exacta a sirului de ecuatii de unda
  este imposibila. De exemplu, pentru 1 cm3 de
  cristal, ar trebui sa rezolvam 1022 ecuatii. De
  aceea se apeleaza la un sir de aproximatii, ca
  aproximatia nucleelor în repaus (nucleele se
  misca cu o viteza mult mai mica decât a
  electronilor asa ca distributia spatiala a
  electronilor poate urmari instantaneu pozitia
  nucleelor), aproximatia unielectronica (metoda
  Hartree-Fock, energia de interactie dintre
  electroni se calculeaza ca intervenind între un
  singur electron si câmpul mediat al celorlalti
  electroni), teorema Bloch (pentru un cristal
  ideal oarecare este firesc sa se presupuna ca
  potentialul manifesta o periodicitate determinata
  de asezarea ordonata în spatiu a nucleelor).
• Mai departe, pentru stabilirea benzilor de
  energie, alta aproximatie intervine, aproximatia
  electronului aproape liber (valoroasa în studiul
  metalelor) si aproximatia electronului puternic
  legat (pentru semiconductori si dielectrici).
  Aproximatia electronului puternic legat considera
  ca starea electronului din cristal nu difera cu
  mult de cea a electronului din atomul izolat,
  adica ca starea electronului din atom este
  perturbata putin de variatiile potentialului din
  cristal.

7
Formarea benzilor în solidele cristaline

• Sa consideram un caz simplu, al unui cristal
  monodimensional, format dintr-un sir de atomi,
  fiecare având un orbital disponibil rezultat din
  functia de unda a atomului cu o anumita energie.
  Fiecare astfel de atom contribuie la formarea de
  orbitali moleculari (de legatura si
  antilegatura).
• Fie un atom, notat (1). În figura urmatoare este
  ilustrata formarea orbitalilor moleculari prin
  apropierea succesiva de acesta a celorlalti atomi
  (2, 3, ...) din cristalul monodimensional. Figura
  a reprezinta starea energetica a orbitei în
  atomul initial (1). În figura b se ilustreaza
  aparitia unei orbite de legatura si a unei orbite
  de antilegatura, asa cum sugereaza ecuatia (2),
  pentru apropierea de atomul (1) a atomului (2).
  Figura c ilustreaza aparitia a 3 orbite (una de
  legatura, una de antilegatura si una
  intermediara).
• Mai departe, figura d este corespunzatoare
  sistemului format din 4 atomi (1-4). Aplicând în
  continuare iteratia, prin trecere la limita se
  ajunge la formarea unei benzi (figura e). Cel mai
  înalt nivel al benzii de energie corespunde unei
  orbite de antilegatura iar cel mai coborât nivel
  unei orbite de antilegatura (figura e).

8
(No Transcript)
9

• Daca atomii contribuie cu mai multe orbite (si
  energii) diferite s, p, d sau f atunci se poate
  ca prin suprapunerea orbitelor atomice sa duca la
  formarea a doua benzi energetice, separate
  printr-o zona numita banda interzisa (figura a).
  Se poate însa ca benzile permise rezultate din
  suprapunerea orbitelor atomice sa se suprapuna
  pentru a forma o singura banda permisa mai larga
  (figura b).

• În functie de numarul de electroni implicati în
  legaturi de catre fiecare atom, se calculeaza
  completarea benzilor energetice cu electroni. La
  0 K nu exista agitatie termica si completarea
  energetica se face de la nivelul cel mai inferior
  catre cel superior.
• În functie de popularea cu electroni a ultimelor
  benzi energetice la T 0 K se caracterizeaza
  conductia la T gt 0 K

10

• Cristalele în care popularea cu electroni la 0 K
  se face prin completarea în întregime a unei
  benzi permise (figura a) sunt semiconductoare sau
  izolatoare. La acestea conductia este mica si
  creste cu temperatura (coeficient de conductie
  pozitiv).
• Cristalele în care popularea cu electroni la 0 K
  se face prin completarea partiala a unei benzi
  permise (figura b) sunt conductoare. La acestea
  conductia este mare si scade cu temperatura
  (coeficient de conductie negativ)

11

• Conductia se petrece prin promovarea electronilor
  de pe nivele energetice inferioare (complete cu
  electroni la 0 K în absenta câmpului exterior) pe
  nivele energetice superioare incomplete, acolo
  unde exista posibilitatea de deplasare datorita
  existentei orbitelor libere prin care acestia pot
  astfel sa se deplaseze.
• Odata cu cresterea temperaturii pentru
  conductoare (figura c) conductia scade datorita
  agitatiei termice a nucleelor în structura
  cristalina, care mareste frecventa coliziunii
  dintre electronii de conductie si benzile
  energetice ale structurii (coeficient negativ de
  temperatura).
• Odata cu cresterea temperaturii pentru
  semiconductoare si izolatoare (figura c)
  conductia creste datorita energiei termice
  primite de electronii din banda ocupata si
  posibilitatii de a promova pe o banda permisa
  superioara (coeficient pozitiv de temperatura).
• Tot cu ajutorul reprezentarilor din figura
  anterioara se explica si supraconductibilitatea
  semiconductoarelor la temperaturi apropiate de 0
  K existenta benzilor interzise asigura
  capturarea electronilor de conductie pe nivelele
  superioare din benzile permise fara alta
  cheltuiala de energie în timp ce la conductoare
  (elementele cu un electron în ultima orbita Ag,
  Au, Cu, K, Rb, Cs, Na, Li, Al) incompleta ocupare
  a benzii permise face ca conductia sa se
  desfasoare în aceasta, însa mereu cu cheltuiala
  de energie, datorita tendintei acestora de a-si
  diminua energia prin coborârea pe un nivel
  energetic inferior.

12

• Pe lânga conductia electronica în cristale apare
  si conductia de goluri, si anume golurile lasate
  de electronii legati prin promovarea la electroni
  de conductie pot fi ocupate de alti electroni si
  astfel se stabileste o conductie numita conductie
  de goluri. În cazul unui monocristal, aceste doua
  fenomene nu pot fi discriminate. Fenomenul este
  însa mult mai clar pentru cristalele impurificate
  cu atomi straini.

13

• Atomii straini inserati în structura
  monocristalului vor aduce o contributie proprie
  la benzile permise ale structurii. Prezenta
  electronilor suplimentari asigura o conductie
  electronica (n) iar lipsa electronilor asigura o
  conductie de goluri (p). Din acest punct de
  vedere, doua situatii sunt reprezentative pentru
  semiconductori

14
Elemente semiconductoare

• Urmatoarele elemente (ordonate dupa grupe) au
  proprietati semiconductoare tipice
• Grupa 3 B
• Grupa 14 C (diamant), Si, Ge, Sn (Sn-ß)
• Grupa 15 P (P negru), As, Sb (depus în vid)
• Grupa 16 S, Se, Te
• Grupa 17 I.
• Largimea benzilor interzise în monocristale

15
Combinatii binare semiconductoare

• Diferite elemente se pot combina pentru a forma
  compusi care apoi cristalizati sa aiba
  proprietati semiconductoare. Combinatiile binare
  (compusi chimici în a caror structura moleculara
  intra doua tipuri diferite de atomi) sunt
  prezentate în continuare.
• Cele mai importante combinatii binare
  semiconductoare sunt de forma A13B15 unde A13
  este unul din elementele grupei 13 (B, Al, Ga,
  In, Tl) iar B15 unul din elementele grupei 15 (N,
  P, As, Sb, Bi). Aceste combinatii îsi mediaza
  numarul de electroni la numarul de electroni al
  elementelor grupei 14, ceea ce face ca structura
  cristalina si proprietatile semiconductoare sa
  fie asemanatoare cu ale elementelor grupei 14.
  Dupa cum se poate observa din tabelul cu benzile
  interzise, borurile si nitrurile au un pronuntat
  caracter dielectric (?E mare). De asemenea, ele
  au o mare stabilitate si duritate.
• Dintre combinatiile A14B14 doar SiC prezinta
  interes pentru semiconductibilitate. El prezinta
  doua forme alotropice a-SiC si ß-SiC.
• Compusii semiconductori de tipul A22B14 se
  formeaza între Mg si Ca (A Ca, Mg) si elemente
  ale grupei 14 (B Si, Ge, Sn, Pb). Compusii
  magneziului au si proprietati termoelectrice si
  fotoelectrice deosebite si se folosesc de
  asemenea ca catalizatori în sinteze organice.

16

• Dintre compusii de tipul A31B15 prezinta
  proprietati semiconductoare Li3Bi, Cs3Sb si
  Cs3Bi.
• Au fost studiate si proprietatile semiconductoare
  ale compusilor de tipul A1B15, cum este cazul
  NaSb, KSb si CsSb.
• Proprietatile semiconductoare ale compusilor de
  tipul Ax(2)By15, unde A(2) este un metal cu
  valenta 2 au fost descoperite înainte de cele ale
  germaniului si siliciului.
• Compusii semiconductori de tipul A(2)B16 au
  proprietati electrice si optice deosebit de
  interesante. Sulfura de zinc (ZnS blenda, ZnS
  würtzit) se apropie în ceea ce priveste valoarea
  benzii interzise de un izolator. Si
  rezistivitatea electrica are valori mari pentru
  acest compus 108 1014 Ocm. Ei prezinta
  interes stiintific si aplicativ deosebit
  (fotorezistori, celule solare, etc.). Compusii de
  tipul A14(2)By16, adica sulfurile, seleniurile si
  telururile de Ge, Sn si Pb prezinta importante
  proprietati fotoelectrice si de redresare. În
  anumite conditii unii compusi din aceasta clasa
  ca GeSe prezinta o dependenta de temperatura a
  conductibilitatii electrice ca la metale
  (coeficient negativ de temperatura). La acesti
  compusi apar abateri de la stoechiometria 11,
  modificare ce influenteaza puternic proprietatile
  electrice (modifica în limite largi valorile
  rezistivitatii electrice, concentratiei si
  mobilitatii purtatorilor si chiar tipul de
  conductie).

17

• Compusii de tipul A215B316 au structura
  cristalina cu simetrie joasa (structuri
  monoclinice sau romboedrice) si din acest motiv
  prezinta o puternica anizotropie a
  proprietatilor. Monocristalele acestor compusi
  sunt formate din lanturi si straturi de atomi.
  între atomii aceluiasi lant sau strat se
  stabilesc legaturi covalente, iar între straturi
  si lanturi legaturile sunt Van der Waals. De aici
  rezulta puncte de topire mici, si tehnologiile de
  fabricatie a semiconductorilor bazati pe acesti
  compusi exploateaza acest avantaj. Ei se obtin
  prin sinteza directa a componentelor în capsule
  din cuart închise. Din acelasi motiv, au
  proprietati termoelectrice de mare interes
  (termoelemente, frigidere). Valoarea Seebeck este
  coeficientul de temperatura al conductibilitatii.
• Compusii de tipul A213B16 au defecte de
  structura. În functie de metoda de preparare si
  tratamentul ulterior esantioanele preparate
  prezinta diferite concentratii de defecte
  structurale atomi lipsa, atomi interstitiali,
  neuniformitati. Majoritatea acestor compusi
  cristalizeaza într-o retea în care 1/3 din
  pozitiile ce ar reveni atomilor A13 sunt vacante
  si fiecare al 3-lea nod al structurii spatiale
  ramâne vacant. Datorita acestei regularitati a
  defectelor, ele se numesc vacante
  stoechiometrice. În comparatie cu celelalte
  tipuri de defecte, defectele stoechiometrice sunt
  stabile cu temperatura.
• In2Te3 prezinta doua forme de cristalizare (a si
  ß) si tranzitia a ? ß se petrece când temperatura
  atinge valoarea de 550 ºC. Mobilitatile
  purtatorilor de sarcina sunt mici si depind putin
  de temperatura si sunt putin influentati de
  prezenta impuritatilor în structura (prezenta a
  1 Mg, Cd, Hg, Si, Ge, Sn, Cu nu modifica tipul
  conductiei).

18

• Între elementele grupelor 13 si 16 se pot forma
  si compusi de tipul A13B16, cu proprietati
  semiconductoare tipice.
• Conductia prin goluri, valorile mari ale
  coeficientului Seebeck sunt caracteristici ale
  acestor compusi folositi în special pentru
  generatoarele termoelectrice.
• Elementele tranzitionale pot forma compusi
  semiconductori, numiti compusi cu metode de
  tranzitie. Studii sistematice asupra acestora au
  început în anul 1960. Principalele
  particularitati deriva din prezenta orbitelor d
  incomplete. Acesti compusi deschid un nou domeniu
  în tehnica materialelor semiconductoare la
  temperaturi înalte. Au fost studiati FeSe2,
  FeTe2, MnTe2, CrTe2, CoSb3, CrS, CrSe, CrTe,
  MnTe, FeTe, FeS.

19
(No Transcript)
20
(No Transcript)
21
(No Transcript)
22
Alte combinatii semiconductoare

• Se obtin compusi semiconductori si prin
  amestecarea a mai mult de doua elemente, cum este
  cazul compusilor ternari si cuaternari.
• Studiindu-se structura cristalina a compusilor
  semiconductori binari s-au observat o serie de
  regularitati care au servit apoi la descoperirea
  de noi materiale semiconductoare.
• Un exemplu în acest sens este si corelatia în
  proprietati si structura pentru seriile
• Ge, GaSe, ZnSe, CuBr a-Sn, InSb, CdTe, AgI
• Mg2Si, Mg2Ge, Mg2Sn, Mg2Pb
• Se obtin compusi ternari si cuaternari în mod
  uzual prin substitutii în structura unor compusi
  binari analogi. De exemplu, substituind Ga cu In
  si Ge în structura GaAs (?E 1.35 eV) se obtine
  InGeAs2 (?E 1.1 eV).
• Compusii cuaternari studiati pâna în prezent
  sunt Cu2FeSnS, Cu2FeSnSe4, Cu2FeGeSe4,
  Cu2NiGeSe4, Ag2CdSnTe4, Cu2ZnSnTe4 si Cu2ZnGeSe4.
• Nu se pot însa obtine compusi cu numar mare de
  componenti deoarece odata cu cresterea numarului
  de atomi, structura devine instabila.

23
(No Transcript)
24
Aliaje semiconductoare

• Daca la compusii semiconductori compozitia era
  bine definita printr-un raport de numere întregi
  de combinare aliajele semiconductoare sunt
  materiale caracterizate prin compozitii variabile
  într-un domeniu larg. Sunt 3 categorii de aliaje
  semiconductoare între semiconductori elementari,
  între semiconductori elementari si compusi
  semiconductori, între compusi semiconductori.
• Dintre aliajele între semiconductori elementari
  au fost studiate în special aliajele B-Si, C-Si,
  Ge-Si, Ge-Te
• B-Si Borul influenteaza mult proprietatile
  semiconductoare ale Si. Introducerea în
  monocristalul de Si a 510-4 B determina o
  micsorare a rezistivitatii de 2105 ori. Daca
  continutul de B este de 0.1-1.0 coeficientul de
  temperatura al aliajului devine pozitiv. Adaosul
  de B confera Si o conductie de tip p.
• C-Si Amestecul dintre C si Si duce la formarea
  unui aliaj stabil cu remarcabile însusiri
  semiconductoare.
• Ge-Si Aliajul Ge-Si are o importanta deosebita.
  Dependenta de compozitie a largimii benzii
  interzise (figura), a mobilitatii purtatorilor de
  sarcina si stabilitatea la solicitari termice
  permite utilizarea aliajelor Ge-Si la o gama
  larga de dispozitive semiconductoare. În aceste
  aliaje se îmbina avantajele Si (buna stabilitate
  termica) cu cele ale Ge (lucru la frecvente
  înalte).

25

• Ge-Te S-a constatat ca un continut de 0.1 Te în
  aliajul Ge-Te conduce la o foarte mare crestere a
  conductibilitatii electrice si la o diminuare a
  coeficientului Hall datorita defectelor
  structurale locale în structura cristalina a
  aliajului.

• Aliajele dintre compusii semiconductori în
  general sunt complet miscibili în orice raport de
  combinare si formeaza solutii solide la
  cristalizare. Formarea solutiilor solide omogene
  este favorizata de diferenta de
  electronegativitate mare a atomilor constituenti
  si de diferenta mica a razelor atomice.

26
Sticle semiconductoare

• Studii efectuate pe diferite aliaje de compusi
  semiconductori arata ca nu toate au structuri
  cristaline, ceea ce este pus în evidenta prin
  prezenta unui interval de înmuiere în locul
  temperaturii de topire. Aceste aliaje au
  aplicatii de natura fotoelectrica si
  termoelectrica si majoritatea au conductie p.
• Formula generala a acestor aliaje este
  (a)A(1-a)B, unde A Te2Se3, Tl2SAs2Se3,
  Sb2Se3, Tl2Se3, As2Te3, As2S3, Sb2S3 si B
  As2Se3, Tl2SeAs2Te3, Tl2TeAs2Se3.

27
Semiconductori oxidici

• Înca din 1926 a fost construit redresorul cu
  CuO2, iar în 1930 se construieste un fotoelement
  cu acelasi CuO2. Ulterior au fost descoperiti si
  alti oxizi cu proprietati semiconductoare ZnO,
  TiO2, UO2. Se împart în semiconductori oxidici
  binari, feromagnetici, feroelectrici.
• CuO2 are largimea benzii interzise de 1.5 eV si
  poseda o conductie de tip p datorita excesului de
  oxigen peste compozitia stoechiometrica normala
  (CuO).
• UO2 poseda în conditii normale o conductie de tip
  p si datorita stabilitatii termice si
  coeficientului termic al conductibilitatii
  electrice mare a fost primul material
  semiconductor pentru confectionarea
  termistoarelor.
• ZnO si CdO au conductii electronice iar
  proprietatile electrice sunt mult influentate de
  excesul de oxigen peste compozitia
  stoechiometrica.
• Semiconductorii feromagnetici (discutati la
  ceramici) clasifica dupa structura (tabel)
• Principalii semiconductori feroelectrici sunt
  BaTiO3, CdTiO3, PbTiO3, PbZrO3, PbHfO3,
  (PbBa)SnO3, KTaO3, NaNbO3, KNbO3, PbNb2O6,
  PbTaO6, Pb3MgNb2O6, PbScNb2O6, Pb2ScTaO6,
  Pb2FeNbO6.

28
(No Transcript)
29
Semiconductori lichizi organici

• Elemente semiconductoare îsi pastreaza
  proprietatea de semiconductibilitate la topire.
  Este cazul Se si Te. Se devine lichid la 217ºC si
  îsi îmbunatateste proprietatile semiconductoare
  (energia de activare scade de la 2.3 eV la 1.7
  eV, rezistenta creste de 3104 ori. Îsi pastreaza
  proprietatile semiconductoare pâna la 800 ºC. Te
  se topeste la 452 ºC si pastreaza proprietatile
  semiconductoare pâna la 550 ºC, dupa care capata
  caracteristici metalice.
• Te2S3, Bi2S3, Sb2S3, Sb2Se3 prezinta doar
  variatii mici ale rezistivitatii electrice la
  topire si au caracteristici semiconductoare si în
  faza lichida.

• Substantele organice pot fi buni semiconductori.
  Sunt semiconductori substante organice din clase
  foarte diferite naftalen, antracen, compusi
  aromatici policiclici, compusi aromatici cu azot
  în molecula, coloranti, ftalocianine, compusi
  macromoleculari cu legaturi duble conjugate,
  complecsi cu tranzitie de sarcina, radicali
  liberi stabili, polimeri, biopolimeri.
• Primele cercetari au început odata cu
  descoperirea fotoconductiei antracenului solid.
  Ulterior s-a pus în evidenta fotoconductibilitatea
  unor coloranti, biopolimeri si cromoproteine.

30
Semiconductori necristalini

• Deoarece multe substante îsi pastreaza
  proprietatile semiconductoare în stare amorfa sau
  lichida, rezulta ca semiconductibilitatea depinde
  în mare masura de dispunerea relativa a atomilor
  vecini (ordine locala) si în mai mica masura de
  periodicitatea unei anumite retele (ordine la
  distanta). Avantajul folosirii materialelor
  semiconductoare necristaline este în principal de
  natura optoelectronica, datorita izotropiei pe
  care o genereaza absenta ordinii la distanta si
  prezenta ordinii locale pe parcursul a doar
  câtorva constante de retea.
• S-au obtinut semiconductoare necristaline sub
  forma de depuneri subtiri prin condensarea
  vaporilor pe suporti supraraciti. Asa este cazul
  Si, Ge, As2Se3 si a compusilor de tipul A13B15.