Nuevas Estructuras y su Aplicacin a RF

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Nuevas Estructuras y su Aplicación a RF
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Contenido

• Teoría
• Amplificador a Resistencia Negativa
• Nanotubos
• Estructuras pasiva
• Modelado RF como líneas de transmisión
• Estructuras Activas
• CNFETs
• Otras estructuras
• Dispositivos Cuánticos
• Q-WITT
• Q-MMIC

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Amplificador Resistencia Negativa

• Esquema

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Amplificador Resistencia Negativa

• Rango de funcionamiento

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Amplificador a Transconductancia

• Esquema

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Modelado de Nanotubos para RF

• Modelo distribuido RLC
• Impedancia

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Modelado de Nanotubos para RF
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Estructuras Activas de Nanotubos

• Expectativas para nanotubos

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Ballistic Nanotube Field-Effect Transistor

• Esquema simple CNFET
• Curvas V-I
• Cuantificadas!

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Ballistic Nanotube Field-Effect Transistor

• Modos de operación
• p
• n
• ambipolar

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Modelo RF CNFETs

• El procedimiento de cálculo para los CNFET
  balísticos es
• Fijado VDS y ?S.
• energía de las bandas se moverá debido a VGS
• La carga total contribuciones
• drenador (estados -k)
• fuente (estados k)

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Modelo RF CNFETs

• La carga total subbanda
• suma de las cargas del drenador y fuente
• Asumiremos µS0, y µD-qVDS
• La corriente ID por subbanda

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Modelo RF CNFETs

• VGS que produzca ?S
• Tensión efectiva de puerta

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Modelo RF CNFETs

• Modelo RF simplificado
• Cálculo de la carga cuántica
• Cálculo del potencial de la superficie
• Cálculo de la capacidad cuántica

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Modelo RF CNFETs

• Resultados modelo RF

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Otros dispositivos basados en nanotubos

• Filtro resonador de muy alta Q

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Dispositivos cuánticos

• Quantum Well Injection Transit Time Diode

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Dispositivos cuánticos

• Permite obtener resistencia negativa

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Dispositivos cuánticos

• Quantum MMIC
• Diodos Túnel
• HITFET

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Referencias

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  Resonant Tunneling Diodes.
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  Lewis, Nada El-Zein, Scout Ageno, Gary Kramer,
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• Cest Fini