Title: Les Amplificateurs de Puissance Radiofr
1Les Amplificateurs de Puissance Radiofréquences
et Micro-ondes Applications dans le Cadre des
Projets Européens MOBILIS et UpperMOS et du
Projet RNRT VeLo.
- Laurent Leyssenne1, Eric Kerhervé1, Yann Deval1,
Nejdat Demirel1, - Sofiane Aloui1, Nathalie Deltimple1, Didier
Belot2, Hilal Ezzedine3 - 1 IMS-CNRS, Bordeaux.
- 2 ST Microelectronics, Crolles.
- 3 ST Microelectronics, Tours.
2Plan
- Introduction
- Généralités sur les standards Radio et les
architectures TX. - Caractéristiques des procédés silicium
- Projet MOBILIS frontal TX DCS / WCDMA
- Projet Uppermost frontal TX WiFi / WiMAX
- Projet VeLo PA/antenne radar 80GHz
- Application WPAN 60GHz
3Introduction
- LIMS est impliqués dans différents projets
nationaux et européens sur la conception de PA - Applications RF DCS/WCDMA, WiFi/WiMAX
- Applications Radar 80GHz
- Application WPAN 60GHz
4Plan
- Introduction
- Généralités sur les standards Radio et les
architectures TX. - Caractéristiques des procédés silicium
- Projet MOBILIS frontal TX DCS / WCDMA
- Projet Uppermost frontal TX WiFi / WiMAX
- Projet VeLo PA/antenne radar 80GHz
- Application WPAN 60GHz
5Caractéristiques des frontaux RF TX 2G/3G/4G (a)
Source Intel
6Caractéristiques frontaux RF TX (b)
Source Intel
/ 812.5Kbps
7Problématique liée aux amplificateurs de
puissance RF
- Standards 3G/4G
- Modulations QPSK/QAM à enveloppe non constante
- Peak to Average Ratio élevé
- 3dB (EDGE), 6dB (WCDMA), 12dB (WiMAX).
- Range de puissance RMS TX fonction des
conditions de trafic. - 30dB (GSM) ? 70dB (WCDMA).
- Largeur de canal de transmission élevé ? 20MHz
(WiMAX) - Les facteurs clefs de performance sont
- La linéarité (erreur de phase, ACLR, EVM)
- Le rendement (durée de vie des batteries)
- Besoin darchitectures pour gérer le compromis
rendement/linéarité.
8Architectures de gestion du rendement dans les
frontaux TX
- LINC (requiert des éléments passifs sensibles et
difficiles à intégrer) - Envelope Elimination Restoration (EER) associé
à un PA de classe non linéaire et à une boucle
polaire de la phase du signal dentrée. - Sapplique essentiellement aux PPA.
- Requiert un convertisseur AC/AC au niveau du
drain/collecteur à fort rendement (externe). - Un PA de classe non linéaire piloté par un canal
RF modulé delta/sigma - Consommation élevé des étages en amont du PA car
large bande. - Difficultés de respecter limmunité au bruit pour
les larges range de puissance RMS. -
9Les architectures choisies en fonction de la
reconfiguration souhaitée
- Fondamentalement basée sur linjection
denveloppe (au niveau de la grille/base du
transistors de puissance). - Plusieurs méthodes dinjection étudiée.
- Peut sapparenter à un effet mémoire et peut
entrainer une distorsion denveloppe. - Saut de range de puissance par le bypass de
létage de puissance ( pour des raisons de
rendement/bruit)
10Plan
- Introduction
- Généralités sur les standards Radio et les
architectures TX. - Caractéristiques des procédés silicium
- Projet MOBILIS frontal TX DCS / WCDMA
- Projet Uppermost frontal TX WiFi / WiMAX
- Projet VeLo PA/antenne radar 80GHz
- Application WPAN 60GHz
11Caractéristiques de la technologie ST BiCMOS7RF
(a)
- HBTs performants en gain et en densité de
courant. - Mais auto-échauffement sensible? flyback, ou
effondrement de courant IC (multi-fingers),
hystérésis (quand RF et BB sont combinés)
Source Garlapati Prasad
12Caractéristiques de la technologie ST BiCMOS7RF
(b)
- LDMOS plus stables thermiquement et présentent
une résistance thermique plus faibles que HBT. - Plus robustes vis-à-vis du VSWR de sortie
(isolateur non nécessaire). - Impédance dentrée peu dépendante du point de
polarisation - adapté pour les applications
- de reconfiguration de PA.
- Faible capacité Cgd.
- Mais sensibles aux ESD
13Plan
- Introduction
- Généralités sur les standards Radio et les
architectures TX. - Caractéristiques des procédés silicium
- Projet MOBILIS frontal TX DCS / WCDMA
- Projet Uppermost frontal TX WiFi / WiMAX
- Projet VeLo PA/antenne radar 80GHz
- Application WPAN 60GHz
14Projet MOBILIS frontal TX WCDMA/EDGE/DCS
- Classe de fonctionnement de létage de puissance?
- Contraintes de linéarité (ACLR-33dBc) pour le
WCDMA. - Problème dadaptation PA/duplexeur
15Projet MOBILIS topologie de létage de
puissance
16Projet MOBILIS Technique dassemblage
silicium(ST BiCMOS7RF)/passif(ST IPAD)
17Illustration en mode temporel du pistage
denveloppe (boucle ouverte)
- Pour un signal RF à deux tons (1.95G, 1.955G), le
courant IDD tiré par létage de puissance sur
lalimentation est un signal de mode commun qui
évolue avec lenveloppe RF.
18Illustration de leffet du pistage denveloppe
sur le rendement
- Amélioration sensible du rendement à basse
puissance de sortie (CW). - Limpact du back-off lié au PAPR sur la PAE
moyenne est limité.
19Illustration de leffet du pistage denveloppe
sur la linéarité
20Exemple dinjection denveloppe en boucle
fermée
- Détection de gm2
- Les termes de 3e ordre se combinent
constructivement à faible puissance puisque - Néanmoins, on constate une amélioration de la
linéarité et du rendement à forte puissance.
21Technologie IPAD sur substrat verre pour
ladaptation de sortie (ST Tours)
22Plan
- Introduction
- Généralités sur les standards Radio et les
architectures TX. - Caractéristiques des procédés silicium
- Projet MOBILIS frontal TX DCS / WCDMA
- Projet Uppermost frontal TX WiFi / WiMAX
- Projet VeLo PA/antenne radar 80GHz
- Application WPAN 60GHz
23Architecture dédiée au WiFi/WiMAX projet
Uppermost
24Uppermost effet de la reconfiguration dans le
domaine spectral
25Uppermost effet de la reconfiguration en boucle
fermée sur la PAE et le gain en puissance
- Une amélioration sensible de la PAE sans
dégradation du OCP1
26Chronogramme CW de la reconfiguration
- Le signal denveloppe sur 1 bit pour différentes
valeur de puissance CW dentrée
27Plan
- Introduction
- Généralités sur les standards Radio et les
architectures TX. - Caractéristiques des procédés silicium
- Projet MOBILIS frontal TX DCS / WCDMA
- Projet Uppermost frontal TX WiFi / WiMAX
- Projet VeLo PA/antenne radar 80GHz
- Application WPAN 60GHz
28Projet VeLo PA/Antenne à 77-81GHz
- Optimisation conjointe entre le PA et lantenne
pour faire en sorte que la charge présentée par
lantenne soit compatible avec limpédance
optimale en sortie du PA. - Solution de
beam-forming 4 éléments rayonnants, donc 4 PA.
Construction du diagramme de rayonnement en
fonction du déphasage au niveau des antennes,
chaque PA pouvant délivrer plus ou moins de
puissance dans une direction donnée (déphasages
différents). - Possibilité de coupler ou
dadditionner des puissances entre-elles, ce qui
dans le cas des 4 PAs en parallèle permet de
gagner 6 dB supplémentaires.
Beam-Forming
29Spécifications systèmes radar UWB 79GHz
- Fréquences 76-81 GHz
- Pout (puissance de sortie de lamplificateur)
21 dBm - Gain de lamplificateur de puissance 20 dB
- PAE (Power Added Efficient) 13
- Antenna gain 30-35 dBi
- Portée maximale 150-200 m
- Modulation UWB suggérée
- - Pulse modulation
- - FHSS
- - BPSK
- - Pulsed FM/CW
Spécifications PA
Spécifications Emetteur
30Réalisation dun PA 24 GHz
- UWB 24 GHz courte portée - UWB 79 GHz courte
et longue portées
Schéma du circuit émetteur commun
Layout du circuit émetteur commun
31Résultats de simulation (Post Layout) du PA 24 GHz
Simulation des paramètres S
Simulations de la puissance de sortie, du gain en
puissance et du PAE à 24 GHz.
32Plan
- Introduction
- Généralités sur les standards Radio et les
architectures TX. - Caractéristiques des procédés silicium
- Projet MOBILIS frontal TX DCS / WCDMA
- Projet Uppermost frontal TX WiFi / WiMAX
- Projet VeLo PA/antenne radar 80GHz
- Application WPAN 60GHz
33PA/Antenne WPAN à 60GHz
Motivations
Les réseaux (WxAN) ont des débits
faibles(Mbits/s). Les technologies CMOS faible
coût actuelles permettent de monter en
Fréquence La bande ISM est sans licence à 60 GHz
absorption de 11dB/Km dénergie
WPAN - Marché visant le grand public et
professionnel Informatique Échanges de gros
fichiers Électronique grand public
Applications
Objectifs
Prouver la faisabilité dun SOC pour des très
hauts débits (1.5Gb/s) en CMOS Satisfaire les
contraintes économiques des marchés grands publics
34Perspectives
Conception Du PA Définition des spécifications
du PA Pout, Gain, PAE, CP1, IP3, input/output
matchings, consommation Optimiser le transistor
Nb doigts, cellules en parallèle,
longueurs Conception du PAcircuit
dadaptation Réalisation/Mesures
Etude bibliographique Conception de PA
Comportement du CMOS en HF Technologie CMOS
65nm Eléments passifs en HF
Co-design PA-Antenne Approche SiP avec 3 circuits
indépendants (PA, réseau dadaptation de sortie,
et antenne) Approche mixte SiP/SoC Approche SoC
avec lintégration complète sur une même puce des
trois blocs de base Réalisation des puces et
Mesures
35Merci de votre attention