Les Amplificateurs de Puissance Radiofr - PowerPoint PPT Presentation

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Les Amplificateurs de Puissance Radiofr

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Applications dans le Cadre des Projets Europ ens MOBILIS et UpperMOS ... Laurent Leyssenne1, Eric Kerherv 1, Yann Deval1, Nejdat Demirel1, Sofiane Aloui1, ... – PowerPoint PPT presentation

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Title: Les Amplificateurs de Puissance Radiofr


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Les Amplificateurs de Puissance Radiofréquences
et Micro-ondes  Applications dans le Cadre des
Projets Européens MOBILIS et UpperMOS et du
Projet RNRT VeLo.
  • Laurent Leyssenne1, Eric Kerhervé1, Yann Deval1,
    Nejdat Demirel1,
  • Sofiane Aloui1, Nathalie Deltimple1, Didier
    Belot2, Hilal Ezzedine3
  • 1 IMS-CNRS, Bordeaux.
  • 2 ST Microelectronics, Crolles.
  • 3 ST Microelectronics, Tours.

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Plan
  • Introduction
  • Généralités sur les standards Radio et les
    architectures TX.
  • Caractéristiques des procédés silicium
  • Projet MOBILIS frontal TX DCS / WCDMA
  • Projet Uppermost frontal TX WiFi / WiMAX
  • Projet VeLo PA/antenne radar 80GHz
  • Application WPAN 60GHz

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Introduction
  • LIMS est impliqués dans différents projets
    nationaux et européens sur la conception de PA
  • Applications RF DCS/WCDMA, WiFi/WiMAX
  • Applications Radar 80GHz
  • Application WPAN 60GHz

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Plan
  • Introduction
  • Généralités sur les standards Radio et les
    architectures TX.
  • Caractéristiques des procédés silicium
  • Projet MOBILIS frontal TX DCS / WCDMA
  • Projet Uppermost frontal TX WiFi / WiMAX
  • Projet VeLo PA/antenne radar 80GHz
  • Application WPAN 60GHz

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Caractéristiques des frontaux RF TX 2G/3G/4G (a)
Source Intel
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Caractéristiques frontaux RF TX (b)
Source Intel
/ 812.5Kbps
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Problématique liée aux amplificateurs de
puissance RF
  • Standards 3G/4G
  • Modulations QPSK/QAM à enveloppe non constante
  • Peak to Average Ratio élevé
  • 3dB (EDGE), 6dB (WCDMA), 12dB (WiMAX).
  • Range de puissance RMS TX fonction des
    conditions de trafic.
  • 30dB (GSM) ? 70dB (WCDMA).
  • Largeur de canal de transmission élevé ? 20MHz
    (WiMAX)
  • Les facteurs clefs de performance sont
  • La linéarité (erreur de phase, ACLR, EVM)
  • Le rendement (durée de vie des batteries)
  • Besoin darchitectures pour gérer le compromis
    rendement/linéarité.

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Architectures de gestion du rendement dans les
frontaux TX
  • LINC (requiert des éléments passifs sensibles et
    difficiles à intégrer)
  • Envelope Elimination Restoration (EER) associé
    à un PA de classe non linéaire et à une boucle
    polaire de la phase du signal dentrée.
  • Sapplique essentiellement aux PPA.
  • Requiert un convertisseur AC/AC au niveau du
    drain/collecteur à fort rendement (externe).
  • Un PA de classe non linéaire piloté par un canal
    RF modulé delta/sigma
  • Consommation élevé des étages en amont du PA car
    large bande.
  • Difficultés de respecter limmunité au bruit pour
    les larges range de puissance RMS.

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Les architectures choisies en fonction de la
reconfiguration souhaitée
  • Fondamentalement basée sur linjection
    denveloppe (au niveau de la grille/base du
    transistors de puissance).
  • Plusieurs méthodes dinjection étudiée.
  • Peut sapparenter à un effet mémoire et peut
    entrainer une distorsion denveloppe.
  • Saut de range de puissance par le bypass de
    létage de puissance ( pour des raisons de
    rendement/bruit)

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Plan
  • Introduction
  • Généralités sur les standards Radio et les
    architectures TX.
  • Caractéristiques des procédés silicium
  • Projet MOBILIS frontal TX DCS / WCDMA
  • Projet Uppermost frontal TX WiFi / WiMAX
  • Projet VeLo PA/antenne radar 80GHz
  • Application WPAN 60GHz

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Caractéristiques de la technologie ST BiCMOS7RF
(a)
  • HBTs performants en gain et en densité de
    courant.
  • Mais auto-échauffement sensible? flyback, ou
    effondrement de courant IC (multi-fingers),
    hystérésis (quand RF et BB sont combinés)

Source Garlapati Prasad
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Caractéristiques de la technologie ST BiCMOS7RF
(b)
  • LDMOS plus stables thermiquement et présentent
    une résistance thermique plus faibles que HBT.
  • Plus robustes vis-à-vis du VSWR de sortie
    (isolateur non nécessaire).
  • Impédance dentrée peu dépendante du point de
    polarisation
  • adapté pour les applications
  • de reconfiguration de PA.
  • Faible capacité Cgd.
  • Mais sensibles aux ESD

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Plan
  • Introduction
  • Généralités sur les standards Radio et les
    architectures TX.
  • Caractéristiques des procédés silicium
  • Projet MOBILIS frontal TX DCS / WCDMA
  • Projet Uppermost frontal TX WiFi / WiMAX
  • Projet VeLo PA/antenne radar 80GHz
  • Application WPAN 60GHz

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Projet MOBILIS frontal TX WCDMA/EDGE/DCS
  • Classe de fonctionnement de létage de puissance?
  • Contraintes de linéarité (ACLR-33dBc) pour le
    WCDMA.
  • Problème dadaptation PA/duplexeur

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Projet MOBILIS topologie de létage de
puissance
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Projet MOBILIS Technique dassemblage
silicium(ST BiCMOS7RF)/passif(ST IPAD)
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Illustration en mode temporel du pistage
denveloppe (boucle ouverte)
  • Pour un signal RF à deux tons (1.95G, 1.955G), le
    courant IDD tiré par létage de puissance sur
    lalimentation est un signal de mode commun qui
    évolue avec lenveloppe RF.

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Illustration de leffet du pistage denveloppe
sur le rendement
  • Amélioration sensible du rendement à basse
    puissance de sortie (CW).
  • Limpact du back-off lié au PAPR sur la PAE
    moyenne est limité.

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Illustration de leffet du pistage denveloppe
sur la linéarité
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Exemple dinjection denveloppe en boucle
 fermée 
  • Détection de gm2
  • Les termes de 3e ordre se combinent
    constructivement à faible puissance puisque
  • Néanmoins, on constate une amélioration de la
    linéarité et du rendement à forte puissance.

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Technologie IPAD sur substrat verre pour
ladaptation de sortie (ST Tours)
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Plan
  • Introduction
  • Généralités sur les standards Radio et les
    architectures TX.
  • Caractéristiques des procédés silicium
  • Projet MOBILIS frontal TX DCS / WCDMA
  • Projet Uppermost frontal TX WiFi / WiMAX
  • Projet VeLo PA/antenne radar 80GHz
  • Application WPAN 60GHz

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Architecture dédiée au WiFi/WiMAX projet
Uppermost
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Uppermost effet de la reconfiguration dans le
domaine spectral
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Uppermost effet de la reconfiguration en boucle
fermée sur la PAE et le gain en puissance
  • Une amélioration sensible de la PAE sans
    dégradation du OCP1

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Chronogramme CW de la reconfiguration
  • Le signal denveloppe sur 1 bit pour différentes
    valeur de puissance CW dentrée

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Plan
  • Introduction
  • Généralités sur les standards Radio et les
    architectures TX.
  • Caractéristiques des procédés silicium
  • Projet MOBILIS frontal TX DCS / WCDMA
  • Projet Uppermost frontal TX WiFi / WiMAX
  • Projet VeLo PA/antenne radar 80GHz
  • Application WPAN 60GHz

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Projet VeLo PA/Antenne à 77-81GHz
- Optimisation conjointe entre le PA et lantenne
pour faire en sorte que la charge présentée par
lantenne soit compatible avec limpédance
optimale en sortie du PA. - Solution de
beam-forming  4 éléments rayonnants, donc 4 PA.
Construction du diagramme de rayonnement en
fonction du déphasage au niveau des antennes,
chaque PA pouvant délivrer plus ou moins de
puissance dans une direction donnée (déphasages
différents). - Possibilité de coupler ou
dadditionner des puissances entre-elles, ce qui
dans le cas des 4 PAs en parallèle permet de
gagner 6 dB supplémentaires.
Beam-Forming
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Spécifications systèmes radar UWB 79GHz
  • Fréquences 76-81 GHz
  • Pout (puissance de sortie de lamplificateur)
    21 dBm
  • Gain de lamplificateur de puissance 20 dB
  • PAE (Power Added Efficient) 13
  • Antenna gain 30-35 dBi
  • Portée maximale 150-200 m
  • Modulation UWB suggérée
  • - Pulse modulation
  • - FHSS
  • - BPSK
  • - Pulsed FM/CW

Spécifications PA
Spécifications Emetteur
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Réalisation dun PA 24 GHz
- UWB 24 GHz courte portée - UWB 79 GHz courte
et longue portées
Schéma du circuit émetteur commun
Layout du circuit émetteur commun
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Résultats de simulation (Post Layout) du PA 24 GHz
Simulation des paramètres S
Simulations de la puissance de sortie, du gain en
puissance et du PAE à 24 GHz.
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Plan
  • Introduction
  • Généralités sur les standards Radio et les
    architectures TX.
  • Caractéristiques des procédés silicium
  • Projet MOBILIS frontal TX DCS / WCDMA
  • Projet Uppermost frontal TX WiFi / WiMAX
  • Projet VeLo PA/antenne radar 80GHz
  • Application WPAN 60GHz

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PA/Antenne WPAN à 60GHz
Motivations
Les réseaux (WxAN) ont des débits
faibles(Mbits/s). Les technologies CMOS faible
coût actuelles permettent de monter en
Fréquence La bande ISM est sans licence à 60 GHz
absorption de 11dB/Km dénergie
WPAN - Marché visant le grand public et
professionnel Informatique Échanges de gros
fichiers Électronique grand public
Applications
Objectifs
Prouver la faisabilité dun SOC pour des très
hauts débits (1.5Gb/s) en CMOS Satisfaire les
contraintes économiques des marchés grands publics
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Perspectives
Conception Du PA Définition des spécifications
du PA  Pout, Gain, PAE, CP1, IP3, input/output
matchings, consommation Optimiser le transistor
 Nb doigts, cellules en parallèle,
longueurs  Conception du  PAcircuit
dadaptation  Réalisation/Mesures
Etude bibliographique Conception de PA
Comportement du CMOS en HF Technologie CMOS
65nm Eléments passifs en HF
Co-design PA-Antenne Approche SiP avec 3 circuits
indépendants (PA, réseau dadaptation de sortie,
et antenne) Approche mixte SiP/SoC Approche SoC
avec lintégration complète sur une même puce des
trois blocs de base Réalisation des puces et
Mesures
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Merci de votre attention
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