Prezentacja programu PowerPoint

1
Elektronika z technikami pomiarowymi
Wydzial Elektryczny Instytut Metrologii i
Automatyki Elektrotechnicznej
Prof. Jan Zakrzewski Akademicka 10 p.23
2
LITERATURA
Otto Liman, Horst Pelka ELEKTRONIKA bez wielkich
problemów AUTOMATYKA WZMACNIACZE
OPERACYJNE TECHNIKA CYFROWA
Zakrzewski J. Podstawy Miernictwa dla Kierunku
Mechanicznego. Wyd. Pol. Slaskiej, Gliwice, 2004
Kazmiekowski M., Wójciak A. UKLADY STEROWANIA I
POMIARÓW W ELEKTRONIKCE PRZEMYSLOWEJ
Horowitz P. ,Hill W. Sztuka elektroniki. T. 1
i 2
3
ELEKTRONIKA
TELEKOMUNIKACJA
ELEKTRONIKA PRZEMYSLOWA ENERGOELEKTRONIKA
POMIARY, AUTOMATYKA, ROBOTYKA
4
TRANZYSTOR p-n-p

-
5
UKLADY CYFROWE
UKLADY ANALGOWE
Generatory
Bramki logiczne
Wzmacniacze
Liczniki
Filtry
Procesory
Przetworniki analogowo-cyfrowe
Cyfrowe przetwarzanie informacji jest
dogodniejsze, gdyz jest mniej podatne na
zaklócenia, prostsze, tansze i szybsze.
6
Procedura pomiarowa
Rozdzielczosc
Mezurand M
Selektywnosc
Zakres pomiarowy Mmin Mmax Xmin
Xmax
Czulosc S N/X
Stala (przyrzadu)
Powtarzalnosc
7
(No Transcript)
8
Elementy odksztalcalne rurkowe

Jednorodna
Bourdona
Z wewnetrznym trzpieniem
Asymetryczna
9
Elementy odksztalcalne mieszkowe

10
Indukcyjnoscioweczujniki cisnien
11
Tensometryczny czujnik cisnienia - z
mechanicznym elementem przeniesienia sily

12
Tensometryczny czujnik cisnienrurowy

13
WYTWORZENIE MEMBRANY KRZEMOWEJ
I etap UTLENIANIE
Si
14
WYTWORZENIE MEMBRANY KRZEMOWEJ
Si
15
WYTWORZENIE MEMBRANY KRZEMOWEJ
III etap FOTOLITOGRAFIA
16
WYTWORZENIE MEMBRANY KRZEMOWEJ
IV etap TRAWIENIE KRZEMU
Si
17
WYTWORZENIE MEMBRANY KRZEMOWEJ
Si
18
WYTWORZENIE STRUKTURY CZUJNIKA
Si
19
WYTWORZENIE STRUKTURY CZUJNIKA
PIEZOREZYSTOR
Si
20
Czujniki piezorezystywne cisnienia oparte sa na
pomiarze naprezen proporcjonalnych do róznicy
cisnien wystepujacych po obu stronach membrany.
Naprezenia mierzone sa przy pomocy
piezorezystorów (rezystorów dyfuzyjnych
wykonanych w membranie). Efekt piezorezystywny
jest silnie anizotropowy i mocno zalezy od
orientacji krystalograficznej.
21
ANIZOTROPIA CZULOSCI PIEZOREZYSTORÓW
c)
22
STRUKTURA CZUJNIKA UKLAD MOSTKOWY REZYSTORÓW
PIEZOREZYSTORY
1 mm
23
UKLAD MOSTKOWY REZYSTORÓW
24
Si
PODLOZE SZKLANE
25
ZINTEGROWANY CZUJNIK CISNIENIA
STRUKTURA TRANZYSTORA BIPOLARNEGO
STRUKTURA CZUJNIKA
E
K
B
Si
PODLOZE SZKLANE
26
POJEMNOSCIOWY CZUJNIK CISNIENIA
MEMBRANA
Si
PODLOZE SZKLANE
ELEKTRODY
27
CZUJNIK POJEMNOSCIOWY
MEMBRANA
ELEKTRODY
Si
PODLOZE SZKLANE
28
(No Transcript)
29
Piezorezystancyjnye czujniki cisnien f-my Kleber
absolutny
wzgledny
30
Piezorezystancyjnye czujniki cisnien f-my Kleber
Róznicowy, medium doprowadzone dwustronnie
Wzgledny, medium doprowadzone jednostronnie
31
Przetwornik cisnienia 3051
32
Pólprzewodnikowe czujniki przyspieszenia
33
Mechaniczny czujnik przyspieszenia typu ball in
tube
34
(No Transcript)
35
(No Transcript)
36
Elektryczny czujnik przyspieszenia typu ADXL
produkcji Analog Devices w technologii MEMS
Zawieszenie zginane
Zawieszenie rozciagane
Miejsca zamocowania
37
(No Transcript)
38
(No Transcript)
39
(No Transcript)
40
(No Transcript)
41
(No Transcript)
42
(No Transcript)
43
(No Transcript)
44
(No Transcript)
45
(No Transcript)
46
(No Transcript)
47
(No Transcript)
48
Budowa wewnetrzna sterownika systemu SRS
1 czujnik przyspieszen2 wlacznik
bezpieczenstwa3 uklad podtrzymania napiecia
zasilajacego (awaryjnego)4 uklad ASIC5 -
mikrokontroler
49
Koncepcja nowoczesnego systemu poduszek
powietrznych firmy Bosch
50
Detekcja dachowania- Bosch
51
Charakterystyki napelniania poduszki o ladunku
dwustopniowym - a, i dwóch ladunkach b
52
Pojemnosciowy czujnik przyspieszenia wykonany
technologia wytrawiania objetosciowego i laczenia
poszczególnych warstw (bondowania)
Masa sejsmiczna
53
Cztery elementy laczone (bondowane) w celu
otrzymania struktury czujnika
54
Uklad ASIC 40 000 tranzystorów. Uklad z silowym
sprzezeniem zwrotnym Przetwornik 24 bitowy Filtr
piatego rzedu
55
(No Transcript)